產(chǎn)品中心
Product Center
熱門搜索：
Element美國(guó)EDAX能譜儀
EP6美國(guó) Cascade Microtech EP6探針臺(tái)
TEM氮化硅薄膜窗口
NTEGRAPrima俄羅斯產(chǎn)全功能掃描探針原子力顯微鏡
Zeta-20三維光學(xué)輪廓儀
主動(dòng)隔振臺(tái)ARISTT
石英/硅/聚合物模板高分辨率納米壓印模板（Mold for nanoimprint lithography）
P170全自動(dòng)晶圓探針式輪廓儀/臺(tái)階儀
iNano高精度臺(tái)式納米壓痕儀
PLD/Laser-MBE脈沖激光沉積/分子束外延聯(lián)用系統(tǒng)
Lumina光學(xué)表面缺陷分析儀
P7晶圓探針式輪廓儀/臺(tái)階儀
納米團(tuán)簇束流沉積系統(tǒng)
Profilm 3D經(jīng)濟(jì)三維光學(xué)輪廓儀 可測(cè)樣
Solver P47俄羅斯產(chǎn)高性價(jià)比掃描探針顯微鏡原子力
納米壓印膠
當(dāng)前位置：首頁(yè)
產(chǎn)品中心電導(dǎo)率儀R-50方阻測(cè)試儀
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Filmetrics R50 是KLA電阻測(cè)試家族的最新產(chǎn)品。R50方阻測(cè)試儀是KLA超45年電阻測(cè)量技術(shù)地位之作。電阻測(cè)量和監(jiān)控對(duì)于任何使用導(dǎo)電薄膜的行業(yè)都至關(guān)重要，從半導(dǎo)體制造到可穿戴技術(shù)所需的柔性電子產(chǎn)品。R50在金屬膜均勻性分布、離子摻雜和注入表征、薄膜厚度和電阻率分布、以及非接觸膜厚等量測(cè)均進(jìn)行了優(yōu)化加強(qiáng)。
| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 檢測(cè)參數(shù) | 多參數(shù) | 儀器種類 | 臺(tái)式 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,航空航天,汽車及零部件,電氣,綜合 |
KLA薄膜電阻測(cè)量技術(shù)方阻測(cè)試儀包括接觸（4PP）和非接觸（EC）方法。
Filmetrics的R50系列方塊電阻測(cè)量?jī)x器可測(cè)量沉積在各種基材上的導(dǎo)電片和薄膜，跨越10個(gè)數(shù)量級(jí)范圍電阻率，包括：
-半導(dǎo)體晶圓基板
-玻璃基板
-塑料（柔性）基材
-PCB圖案特征
-太陽(yáng)能電池
-平板顯示層和圖案化特征
-金屬箔
二、方阻測(cè)試儀主要功能
l 技術(shù)規(guī)格
測(cè)量范圍：5m Ohm/sq - 5M Ohm/sq;
測(cè)量精度： +/- 1%；
重復(fù)度： 小于 0.2%；
樣品圖中無*的測(cè)量點(diǎn)位，自定義測(cè)量Recipe，可線性、矩形、
極坐標(biāo)以及自定義等。
Model | Description |
R50-4PP | 四探針測(cè)試 自動(dòng)XY移動(dòng)臺(tái)-100mm*100mm 可實(shí)現(xiàn)直接100mm晶圓方塊電阻mapping測(cè)量 可放置直徑200mm晶圓樣品 |
R50-EC | 非接觸渦流測(cè)試 自動(dòng)XY移動(dòng)臺(tái)-100mm*100mm 可實(shí)現(xiàn)直接100mm晶圓方塊電阻mapping非接觸測(cè)量 可放置直徑200mm晶圓樣品 |
R50-200-4PP | 四探針測(cè)試 自動(dòng)XY移動(dòng)臺(tái)-200mm*200mm 可實(shí)現(xiàn)直接200mm晶圓方塊電阻mapping測(cè)量 |
R50-200-EC | 非接觸渦流測(cè)試 自動(dòng)XY移動(dòng)臺(tái)-200mm*200mm 可實(shí)現(xiàn)直接200mm晶圓方塊電阻mapping非接觸測(cè)量 |
三、應(yīng)用
支持廣泛的測(cè)量，包括但不限于以下各項(xiàng)：
金屬膜厚度、基板厚度、方塊電阻、電阻率、電導(dǎo)率、摻雜濃度等。
上一個(gè)：
返回列表
